Главная страница

Программа НАТО Наука для Мира

Проект SfP-973799 Полупроводники (Semiconductors):

1. Теоретические исследования: Подготовка обзора на тему "Образование дефектов в полупроводниках при различных радиационных воздействиях. Связь дефектной структуры, электрических шумов, электрофизических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств квантово-размерных структур".
2. Адаптация существующих экспериментальных установок в Н.Новгороде и Эйндховене, и программного обеспечения, для неразрушающего контроля дефектов в микро-, нано- и квантово-размерных структурах.
3. Обучение молодых ученых в Н.Новгороде.

1. Теоретические исследования: Анализ влияния газовой плазмы на фотоэлектрические и люминесцентные свойства квантово-размерных структур.
2. Модификация установок NPD и PPD для улучшения чувствительности, разрешающей способности и динамического диапазона электрических и оптических измерений.
3. Предварительные эксперименты. Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств квантово-размерных структур, обработанных в газовой плазме.
4. Теоретический и экспериментальный анализ влияния нейтронного и протонного воздействия на фоточувствительные и высокочастотные свойства диодов Шоттки.
5. Обучение молодых ученых в Н.Новгороде.
6. 1-й Промежуточный Отчет.

1. Теоретические исследования: Анализ влияния дефектов, образующихся при ионной имплантации, на фотоэлектрические и люминесцентные свойства структур с квантовыми ямами и квантовыми точками.
2. Теоретический и экспериментальный анализ влияния нейтронного и протонного воздействия на фоточувствительные и высокочастотные свойства полевых транзисторов Шоттки.
3. Модификация установок NPD и PPD для обеспечения неразрушающего контроля дефектов, вызванных различными воздействиями на исследуемые структуры.
4. Предварительные эксперименты. Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств квантово-размерных структур, подвергнутых ионной имплантации.
5. 1-й Рабочий Семинар группы PPD с представителями Конечных Пользователей.

1. Теоретические исследования: Анализ люминесцентных свойств LEDs с квантовыми точками InAs/GaAs.
2. Теоретический и экспериментальный анализ влияния нейтронного и протонного воздействия на фоточувствительные и высокочастотные свойства диодов Ганна.
3. Совместные эксперименты в группе NPD. Проверка методов неразрушающего контроля дефектов, вызванных различными воздействиями на исследуемые структуры.
4. Издание материалов 1-го Рабочего Семинара группы PPD с представителями Конечных Пользователей и их распространение среди родственных групп.

1. Теоретические исследования: Анализ люминесцентных свойств LEDs с квантовыми точками InAs/GaAs.
2. Изготовление полевого транзистора с баллистическим режимом движения носителей заряда Конечным Пользователем 3. Изготовление светоизлучающих диодов с квантовыми точками InAs/GaAs в Группе PPD.
3. Обучение молодых ученых в Н.Новгороде. Исследование люминесцентных свойств светоизлучающих диодов с квантовыми точками InAs/GaAs.

1. Теоретические исследования влияния нейтронного и протонного облучения на баллистический режим движения носителей заряда в GaAs.
2. Совместные эксперименты в группе NPD. Исследование метода измерения электрических шумов для выявления дефектов в полупроводниковых структурах.
3. Изготовление прототипов твердотельных приборов Конечным Пользователем 3.
4. Исследование физических характеристик и стабильности прототипов твердотельных приборов. Разработка, изготовление и исследование свойств лазерных диодов на основе гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs.
5. Обучение молодых ученых в Эйндховене и в Н.Новгороде.
6. 2-й Промежуточный Отчет.

1. Теоретические исследования и обработка экспериментальных данных Этапа 6.
2. Исследование физических характеристик и стабильности прототипов твердотельных приборов в группе PPD.
3. Эксперименты группы PPD совместно с Конечными Пользователями. Экспериментальные исследования влияния нейтронного и протонного облучения на баллистический режим движения носителей заряда в GaAs.
4. 2-й Рабочий Семинар группы PPD с представителями Конечных Пользователей.
5. Издание материалов 2-го Рабочего Семинара группы PPD с представителями Конечных Пользователей и их распространение среди родственных групп.

1. Теоретические исследования: Моделирование функционирования интегральной схемы (фотодиод + усилитель на основе полевого транзистора) и разработка технологии ее создания с использованием РТП.
2. Исследование физических характеристик и стабильности прототипов твердотельных приборов в группе PPD.
3. Изготовление модифицированных структур-прототипов Конечным Пользователем 3 и исследование их характеристик.
4. Эксперименты группы PPD совместно с Конечными Пользователями. Определение характеристик модифицированных структур-прототипов.
5. 3-й Промежуточный Отчет.

1. Теоретические исследования и обработка экспериментальных данных Этапа 8.
2. Модификация установок NPD и PPD с целью прогнозирования радиационной стойкости и стабильности полупроводниковых структур.
3. Изготовление модифицированных структур-прототипов Конечным Пользователем 3. Изготовление интегральной схемы (фотодиод + усилитель на основе полевого транзистора) и экспериментальная апробация РТП Конечным Пользователем.
4. Обучение молодых ученых в Н.Новгороде.

1. Теоретические исследования: Анализ влияния дефектов, вызванных облучением квантоворазмерных структур квантами высоких энергий, на эффективность фотолюминесценции и фотоэлектрическую чувствительность.
2. Совместные эксперименты в Эйндховене. Выявление и идентификация дефектов в полупроводниковых структурах методом анализа электрических шумов.
3. Анализ работы структур-прототипов в составе контрольно-измерительных систем.
4. Измерение характеристик интегральной схемы (фотодиод + усилитель на основе полевого транзистора).
5. Обучение молодых ученых в Эйндховене и в Н.Новгороде. Изучение образования дефектов в квантово-размерных структурах при облучении квантами высоких энергий методами фотолюминесценции и фотоэлектрической чувствительности.
6. 3-й Рабочий Семинар группы PPD с представителями Конечных Пользователей.
7. Издание материалов 3-го Рабочего Семинара группы PPD с представителями Конечных Пользователей и их распространение среди родственных групп.
8. 4-й Промежуточный Отчет.

1. Теоретические исследования и обработка экспериментальных данных Этапа 10.
2. Компьютерный анализ результатов измерений характеристик интегральной схемы (фотодиод + усилитель на основе полевого транзистора).
3. Анализ работы структур-прототипов в составе контрольно-измерительных систем.
4. Эксперименты группы PPD совместно с Конечными Пользователями. Изучение влияния радиационных воздействий на свойства полупроводниковых лазерных диодов.
5. Выработка научно-технических рекомендаций по изготовлению и применению модифицированных твердотельных приборов; использование модифицированных приборов в аппаратуре, разрабатываемой и изготавливаемой Конечными Пользователями; публикация научных результатов и их внедрение в учебный процесс в Нижегородском государственном университете.

1. Критический анализ полученных результатов всеми участниками и Конечными Пользователями.
2. Выработка научно-технических рекомендаций по изготовлению и применению модифицированных твердотельных приборов; использование модифицированных приборов в аппаратуре, разрабатываемой и изготавливаемой Конечными Пользователями; публикация научных результатов и их внедрение в учебный процесс в Нижегородском государственном университете.
3. Итоговый Отчет.