Проф. В.К.Киселев


Имя:
КИСЕЛЕВ Владимир Константинович

Должность:
Руководитель отдела Физических проблем и надежности электронных приборов Научно-исследовательского института измерительных систем Нижнего Новгорода (НИИИС).

Звания:
Доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, профессор Физического факультета Нижегородского госуниверситета.

1946: Родился в Вильнюсе, ЛитССР (теперь Литва).
1963: Студент Свердловского политехнического института Уральского региона (теперь УПИ - Екатеринбургский технологический университет) (инженер ядерной физики).
1974: Аспирантура при Факультете прикладной физики и микроэлектроники Горьковского госуниверситета (теперь Нижегородского госуниверситета), Горький, СССР.
1978: Кандидат физико-математических наук, Горьковский госуниверситет (теперь Нижегородский госуниверситет), Горький.
1992: Доктор физико-математических наук, Нижегородский госуниверситет.

Позиции
Полная ставка, отдел Физических проблем и надежности электронных приборов Научно-исследовательского института измерительных систем:
Инженер (1969). Старший инженер (1972). Старший научный сотрудник (1974). Руководитель лаборатории (1976). Руководитель отдела (1988).
Совместительство на Факультете прикладной физики и микроэлектроники (ныне Физическом факультете) Нижегородского госуниверситета:
Старший преподаватель (1978). Профессор (1991).

Преподавательская деятельность
⌠Радиационная стойкость микроэлектроники■, ⌠Статистические методы современной физики■, ⌠Проблемы функциональной микроэлектроники■.

Организация научной деятельности
Член научно-технических секций Минатома России: ⌠Разработка электроники для ядерных применений■, ⌠Электронная аппаратура для атомной электрической энергетики■; член научно-технического совета НИИИС; член IEEE.

Область научных интересов
Радиационная стойкость и надежность микроэлектроники. Электронные приборы для атомно-электрической энергетики. Приборы для неразрушающих методов управления газо- и нефте- трубопроводами. Волоконная электроника. Акустоэлектроника.

Основные научные результаты
Физическое описание ионизационных эффектов в полупроводниковых устройствах. Существующие статистические методы использованы для исследования характера различных радиационных дефектов в полупроводниковых устройствах. Автоматизированные методы для анализа радиационных, механических, электрических эффектов и акустических волн в твердотельных устройствах.

См. также:
Программа НАТО "Наука для Мира",
Проект SfP-973799 Полупроводники (Semiconductors)