Доцент А.В.Ершов

Имя:ЕРШОВ Алексей Валентинович

Должность:
доцент кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники Нижегородского государственного университета.

Звания:
Кандидат физико-математических наук, доцент.

1960: Родился в Ветлужском районе Горьковской области, СССР (ныне Нижегородская область, Россия).
1982: Студент Горьковского государственного университета (ныне Нижегородский государственный университет), Физический факультет.
1985: Аспирантура при том же факультете.
1988: Защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, ⌠Модификация свойств аморфного кремния легированием изовалентной примесью германия■, ГГУ, СССР (ныне ННГУ, Россия).

Позиции (Полная ставка, Нижегородский государственный университет, Физический факультет, кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники):
Инженер (1982). Младший научный сотрудник (1985). Научный сотрудник (1988). Старший преподаватель (1991). Доцент (1994).

Преподавательская деятельность
Преподаваемые дисциплины √ ⌠Физико-химические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем■, ⌠Материалы микро- и оптоэлектроники■, ⌠Современные проблемы физики и технологии приборов на основе аморфных полупроводников■, ⌠Физические аспекты современной тонкопленочной технологии■.

Организация научной деятельности
Ответственный исполнитель фундаментальных и прикладных научно-исследовательских работ.


Область научных интересов
Физика и технология аморфного кремния (a-Si, a-Si:H), аморфных твердых растворов кремний√германий (a-SiGe, a-SiGe:H) и приборов на их основе, многослойные структуры нанометрового периода на основе аморфного кремния, многослойные интерференционные оптические покрытия, ионная имплантация в полупроводники, деградация оптических покрытий и лазерных структур.

Основные научные результаты
Установлены оптические свойства аморфных пленок кремния и кремний-германиевого сплава для их применения в многослойных оптических покрытиях полупроводниковых лазерных структур. Установлены физические закономерности деградационной стойкости интерференционных покрытий мощных полупроводниковых лазерных структур.

Основные публикации А.В.Ершова

1. A.F.Khokhlov, A.I.Mashin, A.V.Ershov, and Yu.A.Mordvinova. The properties of amorphous silicon doped with isovalent germanium impurity. Physica Status Solidi 94a (1986) 379.
2. A.F.Khokhlov, A.V.Ershov, A.I.Mashin, and Yu.A.Mordvinova. The photosensitivity and conductivity of amorphous silicon doped with isovalent germanium impurity. Fiz. Tekh. Poluprov. 21 (1987) 1907 (in Russian).
3. A.F.Khokhlov, A.I.Mashin, A.V.Ershov, et. al. The ion-beam doping of amorphous silicon contained the isovalent germanium impurity. Fiz. Tekh. Poluprov. 22 (1988) 1511 (in Russian).
4. D.A.Pavlov, A.F.Khokhlov, R.V.Kudryzvtseva, and A.V.Ershov. Structure and properties of amorphous silicon doped with isovalent impurities. Physica Status Solidi 116a (1989) 697.
5. A.V.Ershov, A.A.Ezhevskii, A.F.Khokhlov, et. al. Germanium implantation into amorphous silicon films. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 106B (1995) 257.
6. A.V.Ershov, A.I.Mashin, and A.F.Khokhlov. Doping and impurity compensation by ion implantation in a-SiGe films. Semiconductors 32 (1998) 1125.
7. A.I.Mashin, A.V.Ershov, and D.A.Khokhlov. Effect of deposition and annealing conditions on the optical properties of amorphous silicon Semiconductors 32 (1998) 782.
8. N.B.Zvonkov, B.N.Zvonkov, A.V.Ershov, E.A.Uskova, and G.A.Maksimov. Semiconductor lasers emitting at the 0.98 m m wavelength with radiation coupling-out through the substrate. Quantum Electronics 28 (1998) 605.