Доцент Н.В.Байдусь

Имя: БАЙДУСЬ Николай Владимирович.

Должности:
старший научный сотрудник (полная ставка), доцент (совместительство) кафедры Полупроводников и Оптоэлектроники Физического факультета Нижегородского государственного университета.

Звание: кандидат физико-математических наук.

1961: Родился в Хмельницкой области, Украина.
1983: Студент Горьковского государственного университета (теперь Нижегородский государственный университет), Физический факультет.
1989: Научный сотрудник, Нижегородский государственный университет.
1995: Кандидат физико-математических наук, ⌠Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия■.

Преподавательская деятельность

⌠Физико-химические основы микроэлектроники■, ⌠Технология квантово-размерных структур■ для студентов старших курсов Физического факультета.

Организация научной деятельности
Научный руководитель фундаментальных и прикладных научно-исследовательских работ.

Область научных интересов
Физика и технология квантово-размерных полупроводниковых структур и приборов на их основе.

Основные научные результаты
Получены экспериментальные результаты для доказательства барьерной природы фотопроводимости эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Исследованы фотоэлектронные свойства пассивированной разными способами (сульфидная, фосфидная, гетероэпитаксиальная) поверхности арсенида галлия. Разработана методика исследования дефектообразования с использованием квантово-размерных структур. Исследовано влияние технологии роста гетероструктур с квантовыми точками на фотолюминесцентные свойства и морфологию поверхности.

Основные публикации Н.В.Байдуся

1. I.A.Karpovich, B.I.Bednyi, N.V.Baidus, S.M.Plankina, M.V.Stepikhova, and M.V.Shilova. Barrier photoconductivity of epitaxial GaAs and InP films. Sov. Phys. Semicond. 23(12), (1989) 1340.
2. B.I.Bednyi, I.A.Karpovich, and N.V.Baidus. The effect of adsorption states on the surface bending of bands in n-InP. Phys. Chem. Mech. Surfaces 7(1), (1991) 154.
3. B.I.Bednyi, N.V.Baidus, I.A.Karpovich, M.V.Laganina, I.N.Tsyplenkov, and R.N.Stshukin. Electrophysical properties of an indium phosphide oxidized surface. Phys. Chem. Mech. Surfaces 7(12), (1992) 2966.
4. I.A.Karpovich, B.I.Bednyi, N.V.Baidus, L.M.Batukova, B.N.Zvonkov, and M.V.Stepikhova. Heteroepitaxial passivation of the surface of GaAs. Semiconductors 27(10), (1993) 958.
5. B.I.Bednyi and N.V.Baidus. Sulfide passivation of the GaAs surface: unpinning of the Fermi level. Semiconductors 29(8), (1995) 776.
6. B.I.Bednyi and N.V.Baidus. Passivation of a GaAs surface by treatment in phosphine vapor. Semiconductors 30(2), (1996) 132.