Главная страница

Программа НАТО Наука для Мира

Проект SfP-973799 Полупроводники (Semiconductors):

• Прогнозирование надежности и радиационной стойкости прибора путем адаптации существующих неразрушающих методов для контроля внутренних дефектов.
• Выработка рекомендаций по модификации структуры приборов, работающих при воздействии вредных внешних факторов (например, на атомных электростанциях, в системах спутниковой связи), с целью улучшения эксплуатационных параметров приборов и, особенно, надежности и радиационной стойкости.

1. Разработка методов электро-шумовой (в первую очередь), фотолюминесцентной и фотоэлектрической спектроскопии для контроля образования дефектов в микроволновых и лазерных структурах и диодах на основе GaAs и GaAs/InGaAs.
2. Выяснение влияния радиационных и наведенных другими методами ( обработка в газоразрядной плазме, ионная имплантация) дефектов на фотоэлектронные и электро-шумовые спектры микроволновых лазерных структур и диодов.
3. Выбор приборов и тестовых структур для проведения экспериментов (вместе с Конечными Пользователями).
4. Экспериментальное исследование стабильности и радиационной стойкости микроволновых и лазерных полупроводниковых диодов, предоставленных Конечными Пользователями.
5. Проектирование новых конструкций приборов, обладающих улучшенной стабильностью и радиационной стойкостью. Компьютерное моделирование технологических процессов, повышающих стабильность и радиационную стойкость.
6. Отработка и модификация технологии РТП. Изготовление новых полупроводниковых микроволновых и лазерных диодов на базе GaAs и структур InGaAs/GaAs.
7. Выработка рекомендаций для Конечных Пользователей по повышению стабильности и радиационной стойкости микроволновых и лазерных диодов на основе GaAs и GaAs/InGaAs.